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中微半導體前三季度實現(xiàn)營收80.63億元 薄膜設(shè)備業(yè)務(wù)暴漲1332.69%
2025年11月08日 13:23:22
來源：化工儀器網(wǎng) 點擊量：4134
中微半導體前三季度業(yè)績大漲，主要得益于刻蝕設(shè)備收入61.01億元，同比增長約38.26%；LPCVD和ALD等薄膜設(shè)備收入4.03億元，同比增長約1332.69%。
近日，中微半導體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱：中微半導體)公布2025 年第三季度報告。報告顯示，公司2025年前三季度(1-9月)營業(yè)收入為80.63億元，同比增長約46.4%；歸母凈利潤為12.11億元，同比增長約32.66%。其中，第三季度營業(yè)收入為31.02億元，同比增長約50.62%；歸母凈利潤為5.05億元，同比增長約27.5%。
根據(jù)報告，中微半導體前三季度業(yè)績大漲，主要得益于刻蝕設(shè)備收入61.01億元，同比增長約38.26%；LPCVD和ALD等薄膜設(shè)備收入4.03億元，同比增長約1332.69%。
2025 年前三季度(1-9月)歸屬于上市公司股東的凈利潤為12.11億元，較上年同期增長約2.98 億元，同比增長約32.66%，主要原因為：
1. 2025年前三季度營業(yè)收入增長46.40%下，毛利較上年增長約8.27億元；
2. 由于市場對中微開發(fā)多種新設(shè)備的需求急劇增長，2025年公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補短板，實現(xiàn)趕超，為持續(xù)增長打好基礎(chǔ)。2025年前三季度公司研發(fā)支出較上年同期增長9.79億元(增長約63.44%)，研發(fā)支出占公司營業(yè)收入比例約為31.29%，遠高于科創(chuàng)板均值；
3. 由于市場波動，公司2025年前三季度計入非經(jīng)常性損益的股權(quán)投資收益為3.29 億元，較上年同期增加約2.75億元。
除此之外，中微半導體還根據(jù)市場需求，顯著加大研發(fā)力度。2025年前三季度公司研發(fā)支出25.23億元，較去年同期增長約63.44%，研發(fā)支出占公司營業(yè)收入比例約為31.29%。
其中CCP方面，公司用于關(guān)鍵刻蝕工藝的單反應(yīng)臺介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品保持高速增長，60比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備成為國內(nèi)標配設(shè)備，量產(chǎn)指標穩(wěn)步提升，下一代90比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備即將進入市場；ICP方面，適用于下一代邏輯和存儲客戶用ICP刻蝕設(shè)備和化學氣相刻蝕設(shè)備開發(fā)取得了良好進展。加工的精度和重復(fù)性已達到單原子水平。公司為先進存儲器件和邏輯器件開發(fā)的LPCVD、ALD等多款薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進入市場，并且設(shè)備性能完全達到國際領(lǐng)先水平，薄膜設(shè)備的覆蓋率不斷增加。
素材來源：中微半導體
風險提示：市場有風險，投資需謹慎。本文內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成任何投資建議。據(jù)此投資，責任自負。讀者應(yīng)根據(jù)自身情況，謹慎作出投資決策。
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