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AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備

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薄膜

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韋氏納米(FIRSTNANO)是一家成立于2012年的德國(guó)公司,由三位材料學(xué)博士共同創(chuàng)辦?;凇?span style="padding: 0px; margin: 0px; list-style: none; font-size: 16px; color: rgb(255, 0, 0);">Science is international”的理念,三位創(chuàng)始人提出了“全球協(xié)同實(shí)驗(yàn)室”的夢(mèng)想,致力于推動(dòng)全球科研合作與技術(shù)創(chuàng)新。韋氏納米專注于半導(dǎo)體技術(shù)、材料科學(xué)、生命科學(xué)等科研領(lǐng)域,始終秉持“前沿、專業(yè)、科學(xué)”的宗旨,將技術(shù)引入?yún)f(xié)同實(shí)驗(yàn)室,助力科學(xué)家實(shí)現(xiàn)突破性研究。


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自2015年香港(中華區(qū))公司成立以來(lái),韋氏納米在中國(guó)穩(wěn)步發(fā)展,相繼在香港、深圳、上海和武漢設(shè)立了分支機(jī)構(gòu),形成了覆蓋全國(guó)的科研服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。我們的產(chǎn)品和服務(wù)涵蓋微納加工制程、材料科學(xué)的檢測(cè)與分析、生命科學(xué)成像、腦科學(xué)與行為認(rèn)知等領(lǐng)域,為全球科研工作者提供技術(shù)支持與解決方案。

韋氏納米的愿景是“從科學(xué)家到科學(xué)家,科學(xué)開創(chuàng)美好未來(lái)”。我們堅(jiān)信,科學(xué)無(wú)國(guó)界,全球科研工作者應(yīng)攜手合作,共同推動(dòng)人類科技進(jìn)步。韋氏納米不僅是一家科學(xué)儀器供應(yīng)商,更是全球科研生態(tài)的重要參與者。我們致力于通過“全球協(xié)同實(shí)驗(yàn)室”的理念,將前沿技術(shù)與全球科研需求緊密結(jié)合,助力科學(xué)家實(shí)現(xiàn)更多研究成果。

韋氏納米匯聚了一支由高學(xué)歷、高素質(zhì)人才組成的國(guó)際化團(tuán)隊(duì)。我們的團(tuán)隊(duì)成員具備深厚的專業(yè)背景和豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。公司始終注重人才培養(yǎng)與引進(jìn),博士及碩士學(xué)歷人才占比超過70%。正是這支充滿激情與創(chuàng)造力的團(tuán)隊(duì),推動(dòng)韋氏納米在科研儀器領(lǐng)域不斷進(jìn)步,贏得了全球客戶的信任。

韋氏納米在中國(guó)設(shè)有完善的本地化服務(wù)體系,覆蓋售前、售中和售后全流程。我們?cè)谏虾!⑸钲?、武漢和香港均設(shè)有技術(shù)支持中心和樣機(jī)實(shí)驗(yàn)室,為客戶提供及時(shí)響應(yīng)的技術(shù)支持和設(shè)備體驗(yàn)。此外,我們還建立了高效的備件庫(kù)和物流體系,確??蛻裟軌颢@得所需的服務(wù)與支持。


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“不僅提供前沿的產(chǎn)品,更注重服務(wù)”是韋氏納米的核心價(jià)值。我們深知,科研儀器的價(jià)值不僅在于其技術(shù)性能,更在于其能否真正滿足科學(xué)家的研究需求。因此,我們始終以客戶為中心,致力于為每一位科研工作者提供定制化的解決方案。


公司愿景是從科學(xué)家到科學(xué)家,科學(xué)開創(chuàng)美好未來(lái)。

FIRSTNANO深耕于半導(dǎo)體技術(shù)、材料科學(xué)、生命科學(xué)等科研領(lǐng)域,始終秉承“前沿、專業(yè)、科學(xué)”的宗旨,將前沿技術(shù)引進(jìn)到協(xié)同實(shí)驗(yàn)室。我們的產(chǎn)品覆蓋了微納加工制程;材料科學(xué)的檢測(cè)、分析;生命科學(xué)成像,腦科學(xué)與行為認(rèn)知等相關(guān)領(lǐng)域。作為全球科技前沿的儀器供應(yīng)商,FIRSTNANO具有全球技術(shù)視野、優(yōu)質(zhì)供應(yīng)體系、以及嚴(yán)格的質(zhì)量管控系統(tǒng),能為客戶提供前沿的技術(shù)解決方案。

公司服務(wù)的客戶領(lǐng)域廣泛,其中包括消費(fèi)電子、航空、航天、醫(yī)藥技術(shù)、半導(dǎo)體行業(yè)、光電子行業(yè)、高校和研究機(jī)構(gòu)。

在成長(zhǎng)的過程中,我們腳踏實(shí)地、奮勇向前。自2015年香港(中華區(qū))公司成立以來(lái),我們一相繼在香港、深圳、上海和武漢設(shè)立了分支機(jī)構(gòu)。

我們真誠(chéng)邀請(qǐng)業(yè)內(nèi)英才加入FIRSTNANO TEAM,一起為夢(mèng)想揚(yáng)帆起航!










半導(dǎo)體儀器和電子產(chǎn)品耗材耗材

價(jià)格區(qū)間 50萬(wàn)-100萬(wàn) 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣

AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備

AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備


AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備,具備現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)為等離子體模式的能力,占地面積小(38.1 厘米,寬 15 英寸),可容納直徑為 6 英寸或更小的樣品。


特征


  • · 占地面積?。?8.1 厘米;寬 15 英寸,深 15 英寸)臺(tái)式熱敏 ALD

  • · 可容納直徑為 6 英寸的樣品,并帶有可選的可定制卡盤。

  • · 可在現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)為等離子體。

  • · 暖壁鋁室,帶 40 – 400°C 的加熱樣品架

  • · 3 種有機(jī)金屬前驅(qū)體可加熱至 185°C,另外一種在標(biāo)準(zhǔn)條件下*

  • · 多達(dá) 4 個(gè)氧化劑/還原劑源,每個(gè)氧化劑/還原劑源均具有超快 MFC(2 個(gè)標(biāo)準(zhǔn))

  • · 高溫兼容快速脈沖 ALD 閥,帶有超快 MFC,用于
    · 集成惰性氣體吹掃

  • · 靜態(tài)處理模式下可獲得高曝光

  • * 可升級(jí)至 4 個(gè),全部加熱至 185°C。


規(guī)格


  • · 基板溫度從室溫到 400 °C ± 1 °C(500 °C 可選);前驅(qū)體溫度從 RT 到 180 °C ± 2°C(帶加熱夾套)

  • · 占地面積?。?5 英寸 x 15 英寸),臺(tái)式安裝,兼容潔凈室

  • · 系統(tǒng)維護(hù)簡(jiǎn)單,公用事業(yè)成本低。

  • · 流線型腔室設(shè)計(jì)和小腔室容積

  • · 快速循環(huán)能力和高曝光,可進(jìn)行深度滲透處理

  • · 完整的硬件和軟件聯(lián)鎖,即使在多用戶環(huán)境中也能安全運(yùn)行。


選項(xiàng)


  • · 等離子升級(jí)

  • · 定制卡盤/壓板

  • · ATOzone – 臭氧發(fā)生器(某些薄膜需要:Pt、Ir、SiO2、MoO2、60°C 以下的高質(zhì)量 Al2O3、高質(zhì)量 HfO2

  • · QCM(石英晶體微量天平)

  • · 額外的反反應(yīng)物管線(MFC 控制)——最多 2 個(gè)額外的

  • · 可選第 4 加熱前驅(qū)體 (185°C)

  • · 外部控制 – PC/軟件鏈接(允許遠(yuǎn)程編程和運(yùn)行)

  • · 高于標(biāo)準(zhǔn)壓力狀態(tài)

  • · 定制系統(tǒng)


AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備


設(shè)施


  • 有關(guān)詳細(xì)說(shuō)明,請(qǐng)參閱我們的演示和視頻說(shuō)明:“AT650T 安裝和啟動(dòng) ”

  • · N2 吹掃氣體應(yīng)為 >99.9995%,帶有截止閥(調(diào)節(jié)至 10 – 30 psi,金屬密封)。

    • 輸入線是 1/4 母頭 VCR 壓縮接頭

    • 通過 1/4 英寸金屬線將 99.9995% 氮?dú)?(UHP) 吹掃氣體>背面的 1/4 英寸壓縮接頭連接起來(lái)

  • · 通過 90/110 英寸聚乙烯管或金屬線將 1-4 psi CDA(清潔干燥空氣)連接到另一個(gè)標(biāo)有 CDA(清潔干燥空氣)的 1/4 英寸壓縮接頭

  • · 最小 19.5cfm 濕泵(**需要 PTFE 真空流體(如 Fomblin))(干泵是可選的)

    • NW40 (1.5“) 連接和排氣管(帶 5cfm > 的抽吸)

    • 大于 1 米應(yīng)使用 NW50 排氣管路

  • · 前體通過內(nèi)螺紋 VCR 彎頭連接(始終使用新墊圈)。

    • 彎頭:1/4“ 墊圈先(戴手套)

    • 有關(guān)前驅(qū)體的連接,請(qǐng)參閱“AT650T 安裝和啟動(dòng)


AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備


軟件

有關(guān)詳細(xì)說(shuō)明,請(qǐng)參閱我們的演示和視頻說(shuō)明:“AT650T 安裝和啟動(dòng) 

  • · 帶 10 英寸觸摸屏的人機(jī)界面 (HMI) PLC 系統(tǒng)


  • 面板


  • · 適用于標(biāo)準(zhǔn) ALD 循環(huán)沉積的高級(jí)控制,如納米層壓板、摻雜薄膜和三元薄膜

  • · 用于高質(zhì)量、經(jīng)過測(cè)試的工藝的配方數(shù)據(jù)庫(kù)

  • · 自定義配方輸入屏幕

  • · 實(shí)時(shí)顯示工藝狀態(tài)

  • · 可單獨(dú)編程的加熱源溫度

  • · 用于三元化合物和納米層壓板的內(nèi)置脈沖序列

  • · 快速運(yùn)行,簡(jiǎn)單的問題讓用戶開始

    • 輸入子周期和總周期


AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備







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