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雙配體鈍化方法DLP解決2D鈣鈦礦量子阱寬度分布不均勻問題

      發(fā)布時間:2025-01-07
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研究成果與看點:

研究團隊提出了一種創(chuàng)新的雙配體鈍化(Dual-Ligand Passivation, DLP)方法,成功解決了傳統(tǒng) 2D/3D 鈣鈦礦異質結構中2D鈣鈦礦量子阱寬度分布不均勻 的問題。此研究的主要成就包含:

實現(xiàn)純相2D鈍化層:利用 MeCZEAI mFPEAI 兩種配體共沉積,精準控制2D鈣鈦礦的成核與生長,形成均勻的n=12D相鈍化層,解決了傳統(tǒng)單配體鈍化造成的2D相分布不均的問題。

提升器件效能:采用DLP策略的組件,0.05 cm2 面積的組件效率達到 25.86%,1 cm2 面積的組件效率達到 25.08%,同時展現(xiàn)優(yōu)異的操作穩(wěn)定性 (T90 > 1000 小時)和熱穩(wěn)定性。

深入理解鈍化機制:通過瞬態(tài)吸收光譜 (TA)、X 射線光電子能譜 (XPS) Kelvin 探針顯微鏡 (KPFM) 等多種表征技術,深入分析了DLP策略如何調控 表面反應動力學、均勻化能量分布,并提升電荷傳輸效率的機制。

更佳的表面電位分布:DLP處理的鈣鈦礦表面表現(xiàn)出更均勻的電位分布, 電位分布的半高寬 (FWHM) 僅為 68 mV,比單配體處理的 177 mV 顯著降低。此外,DLP處理后的表面電位相較于單配體處理提升了 80 mV。


研究團隊:

本研究由新加坡國立大學 (National University of Singapore, NUS) 和天津大學 (Tianjin University) 的研究人員共同完成,通訊作者為新加坡國立大學侯毅 (Yi Hou)天津大學胡文平(Wenping Hu)。


研究背景:

在鈣鈦礦太陽能電池(Perovskite Solar Cells, PSCs)領域,表面鈍化是一種關鍵策略,用以提升效率和穩(wěn)定性。其中,在鈣鈦礦表面堆棧2D材料,利用其量子局限效應,能有效鈍化缺陷并調整能階排列,是廣泛應用的方法。然而,傳統(tǒng)上使用單一有機配體形成的2D鈣鈦礦鈍化層,常會出現(xiàn)以下問題:

量子阱寬度分布不均:不同配體分子尺寸和表面反應動力學差異,會導致2D鈣鈦礦形成不同寬度的量子阱,造成能量分布不均,影響器件的光電特性。

多種2D相的形成:表面反應難以控制,容易生成多種不同n值的2D鈣鈦礦,造成額外的缺陷和能量損失。

不利的能階排列:2D鈍化層可能導致能階錯位,阻礙電荷傳輸,降低器件效率。

許多研究已經探討如何調控2D鈣鈦礦的量子阱分布,例如調整配體類型或添加各種添加劑。然而,對于n-i-p型鈣鈦礦太陽能電池而言,如何精確控制2D 鈍化層的量子阱分布和n,仍是一個挑戰(zhàn)。


解決方案:

本研究針對傳統(tǒng)2D鈍化層的缺點,提出了雙配體鈍化(DLP)策略。核心概念是引入兩種不同尺寸和吸附能力的有機配體,藉由調控它們在鈣鈦礦表面的反應動力學,實現(xiàn)純相 n=1 2D鈍化層。具體而言:

雙配體選擇:

MeCZEAI (3,6-二甲基咔唑-9-乙基銨碘化物)具有較大的分子尺寸和較低的吸附能,優(yōu)先吸附在鈣鈦礦表面,可作為反應調節(jié)劑

mFPEAI (間氟苯乙基銨碘化物)較小的分子尺寸,可形成2D鈣鈦礦。

反應機制:MeCZEAI優(yōu)先吸附在鈣鈦礦表面后,會調控mFPEAI 與鈣鈦礦的反應,使得 mFPEAI 只能形成 n=1 2D鈣鈦礦,避免產生多種2D相。

均勻的能量分布:透過上述機制,DLP 策略成功實現(xiàn)了具有 均勻量子阱寬度分布 2D鈍化層,進而改善了器件的能量分布。

實驗過程與步驟:

以下是本研究的實驗流程,包含材料制備、薄膜沉積、鈍化處理等關鍵步驟:

材料準備:

使用 碘化鉛 (PbI2)碘化銫 (CsI)、碘化甲脒 (FAI) 氯化甲胺 (MACl) 等前驅物制備鈣鈦礦;MeCZEAI 的合成:以 3,6-二甲基-9H-咔唑、氫氧化鈉、2-氯乙胺鹽酸鹽和四丁基硫酸氫銨為原料,經由回流、過濾、濃縮、添加HI和再結晶等步驟合成;使用mFPEAI作為2D配體;使用Spiro-OMeTAD作為電洞傳輸材料;使用氧化錫 (SnOx)作為電子傳輸材料。

器件結構:本研究采用 n-i-p 型結構:ITO/SnOx/鈣鈦礦/鈍化層/Spiro-OMeTAD/MoOx/Ag。

薄膜制備:

1.ITO 玻璃基板清潔:使用清潔劑、丙酮和異丙醇進行超音波清洗。

2.SnOx 電子傳輸層沉積:將稀釋的 SnOx 奈米粒子溶液旋涂在基板上,經退火和 UVO 處理。

3.鈣鈦礦層沉積:將混合前驅物溶液旋涂在SnOx層上,并在進行氣體淬滅。接著在70°C 熱板上加熱,150°C 環(huán)境中退火。

4.鈍化層處理:

單配體處理: mFPEAI 溶液旋涂在鈣鈦礦表面。

DLP 處理: mFPEAI MeCZEAI 的混合溶液旋涂在鈣鈦礦表面。

5.Spiro-OMeTAD 電洞傳輸層沉積:將摻雜 TBPLi-TFSI FK209 Spiro-OMeTAD 溶液旋涂在鈍化層上。

6.電極沉積:蒸鍍氧化鉬 (MoOx) 和銀 (Ag) 電極。

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器件與表征

電流-電壓 (J-V) 特性曲線:

研究團隊使用Enlitech的太陽光模擬器 (SS-PST220R)模擬AM 1.5G太陽光照條件進行 J-V 曲線量測。組件展現(xiàn)出更高的 開路電壓 (Voc) 填充因子 (FF),進而提升了整體效率。

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推薦使用光焱科技Enlitech SS-PST,單氙燈太陽光模擬器的光譜可達到A++,高度的匹配AM 1.5G基準光譜


使用雙配體鈍化 (DLP) 處理的小面積組件 (0.05 cm2),其 PCE 可以達到 25.86%,Voc 1196 mVFF 83.7%。(圖4c及表S2

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1 cm2 的組件,DLP 處理的效率可達 25.08%。直接證明了DLP策略在提升組件效率上的優(yōu)勢(圖4e

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瞬態(tài)吸收光譜 (TA)

分析量子阱分布,單配體 mFPEAI 處理的鈣鈦礦表面,出現(xiàn) n=1 n=2 兩種2D鈣鈦礦的特征吸收峰(圖S3),表示存在多種2D相。

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1d 顯示單配體 mFPEAI 處理的鈣鈦礦表面的 TA 光譜, 1e 顯示 DLP 處理的鈣鈦礦表面的TA光譜。

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外部量子效率 (EQE)

DLP處理的組件,其積分電流密度(integrated current density)可達 25.57 mA/cm2。藉由對EQE曲線進行微分,可觀察到797 nm處的波谷,對應的能隙為 1.55 eV,進一步驗證了DLP策略提升光電轉換效率的能力。(圖4d

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                           推薦使用光焱科技Enlitech QE-R量測量子效率


光致發(fā)光量子產率 (PLQY)

DLP處理的樣品,其PLQY高達 12%,遠高于單配體處理的樣品的 9%,顯示DLP策略能 有效減少非輻射復合。(圖2d

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                  推薦使用光焱科技LQ-100X-PL量測光致發(fā)光PLQY


時間解析光致發(fā)光 (TRPL)測量載子壽命。DLP 處理的鈣鈦礦薄膜,其平均載子壽命 τave 1.77 μs,約為單配體處理的 0.80 μs 的兩倍。減少了陷阱輔助的非輻射復合以及更均勻的能量分布。(圖2c

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其他表征:

隱含開路電壓 (iVoc):從 PLQY 數(shù)據(jù)中,研究團隊得到,在一個太陽光強度下,DLP 處理的樣品 iVoc 達到 1229 mV。(圖2b

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X 射線光電子能譜 (XPS)分析表面元素化學狀態(tài)。 (F) 的強度明顯高于 單配體處理的表面,表示2D層更富集在鈣鈦礦表面,且有更好的空間局限效應。(圖S6

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原子力顯微鏡 (AFM)用于測量表面粗糙度。(圖S8

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掃描電子顯微鏡 (SEM)用于觀察表面形貌。(圖S9

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Kelvin 探針顯微鏡 (KPFM)用于測量表面電位。(圖3d、3e 3f

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紫外光電子能譜 (UPS)測量鈣鈦礦的價帶能階。(圖3a、3b

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空間電荷限制電流 (SCLC)用于計算陷阱密度載子遷移率。(圖S10a

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瞬態(tài)光電壓 (TPV) 和瞬態(tài)光電流 (TPC)用于分析電荷復合電荷傳輸 動力學。(圖S13

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推薦使用光焱科技Enlitech TPCV 鈣鈦礦太陽能電池瞬態(tài)光電流光電壓測試儀


掠入射 X 射線繞射 (GIXRD)用于分析晶體結構。(圖S7

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核磁共振儀HNMR分析分子結構。(圖S1S2

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總結:

本研究成功開發(fā)了一種雙配體鈍化 (DLP) 策略,有效地調控了鈣鈦礦太陽能電池中2D鈍化層的量子阱分布,解決了傳統(tǒng)2D鈍化層的缺陷,并提升了器件的性能和穩(wěn)定性。以下是本研究的主要成果:

l   提升組件效率:使用DLP策略的 0.05 cm2 組件,最高功率轉換效率 (PCE) 可達 25.86%,開路電壓 (Voc) 1196 mV,填充因子 (FF) 83.7%18 此外,1 cm2 的組件,PCE 仍可達到 25.08%。

l   改善界面特性:DLP 處理的鈣鈦礦表面,具有更均勻的表面電位分布,且界面處的電場強度也獲得提升,有助于載子分離和收集。

l   提高組件穩(wěn)定性:

1.            經過 1000 小時的最大功率點追蹤 (MPPT) 測試,DLP 處理的組件仍保持初始效率的 93%,展現(xiàn)了優(yōu)異的長期操作穩(wěn)定性。

85°C 的加熱測試下,DLP 處理的組件在 300 小時后仍保持初始效率的 82%,顯示了良好的熱穩(wěn)定性。



文獻參考自Journal of the American Chemical Society_DOI: 10.1021/jacs.4c14473

本文章為Enlitech光焱科技改寫 用于科研學術分享 如有任何侵權  請來信告知





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