這款溫度型少子壽命測(cè)試儀是為25℃~200℃范圍內(nèi)晶圓少數(shù)載流子復(fù)合壽命測(cè)量設(shè)計(jì)的溫度決定型少子壽命測(cè)定儀器。
溫度型少子壽命測(cè)試儀采用半標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)壽命測(cè)量方法QSSPC技術(shù)和瞬態(tài)光電導(dǎo)衰退技術(shù)測(cè)量在10ns~10ms范圍的少子壽命。其中準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)壽命測(cè)量方法QSSPC非常適合監(jiān)測(cè)多晶硅晶圓,摻雜擴(kuò)散和低壽命樣品。瞬態(tài)光電導(dǎo)衰退適合較高少子壽命的晶圓測(cè)量。準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)壽命測(cè)量方法QSSPC技術(shù)壽命測(cè)量也得出隱含開(kāi)路電壓（對(duì)照度）曲線，與I-V曲線相當(dāng)。
溫度型少子壽命測(cè)試儀特色

單鍵識(shí)別硅片的關(guān)鍵特性，包括片材電阻，壽命，陷阱密度，發(fā)射極，飽和電流密度，電壓

溫度型少子壽命測(cè)試儀應(yīng)用

主要用途：測(cè)量25℃~200℃范圍內(nèi)晶圓少數(shù)載流子復(fù)合壽命

其他應(yīng)用：

•監(jiān)控初始材料質(zhì)量

•檢測(cè)過(guò)程中的重金屬污染

晶圓加工

•評(píng)估表面鈍化和發(fā)射極摻雜擴(kuò)散

•使用隱含的I-V測(cè)量

溫度型少子壽命測(cè)試儀規(guī)格參數(shù)

可測(cè)值:壽命,電阻率,發(fā)射極飽和電流密度,陷阱密度,一個(gè)太陽(yáng)Voc

可測(cè)溫度范圍：25℃~200℃

壽命測(cè)量范圍:100 ns到大于10 ms

測(cè)量（分析）模式:準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)壽命QSSPC、瞬態(tài)壽命和廣義壽命分析

電阻率測(cè)量范圍：3–600）歐姆/平方英寸，（未摻雜）

可用光偏壓范圍：0–50個(gè)太陽(yáng)

典型校準(zhǔn)注射范圍：10^13~10^16  cm^-3

可用光譜:  白光和紅外照明

傳感器面積:  40mm直徑

樣本大小，標(biāo)準(zhǔn)配置:  標(biāo)準(zhǔn)直徑：40–210mm

晶圓厚度范圍: 10–2000μm（校準(zhǔn)）,可測(cè)量其他厚度