狹縫擠出型涂布機(jī) 參考價(jià)：面議
狹縫擠出型涂布機(jī)，適用于高精度大面積表面涂布，平板型或 卷對(duì)卷涂布。應(yīng)用領(lǐng)域：大學(xué)科研，柔性基板，觸摸屏等。
派瑞林真空鍍膜機(jī) 參考價(jià)：面議
派瑞林真空鍍膜機(jī)，用于隔熱的門加熱器：最高 200 °C。汽化溫度設(shè)置：最多 10 步（溫度和時(shí)間）。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 參考價(jià)：面議
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，通常選用射頻淋浴源(RF)或帶有不規(guī)則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應(yīng)源產(chǎn)生等粒子體。
等離子體增強(qiáng)原子層沉積系 參考價(jià)：面議
等離子體增強(qiáng)原子層沉積系，原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源，化學(xué)吸附至表面飽和時(shí)自動(dòng)終止，適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附...
MOKE系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MOKE系統(tǒng)：超高真空系統(tǒng)用于對(duì)超薄磁膜和多層電子束蒸發(fā)的薄膜沉積進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)實(shí)時(shí)磁光克爾效應(yīng)研究。
多功能鍍膜系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
多功能鍍膜系統(tǒng)滿足研究所和研發(fā)部門對(duì)真空薄膜沉積的性能要求，占用空間小，具有超高的性價(jià)比，可以向客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。
MBE 系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MBE 系統(tǒng)根據(jù)蒸發(fā)源的類型和數(shù)量以及基板大小，可提供不同的標(biāo)準(zhǔn)襯底尺寸：直徑300mm、直徑450mm 和 直徑570mm（根據(jù)要求的其他尺寸）。
TPD系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
TPD系統(tǒng)用于測(cè)量超薄薄膜吸附/脫吸的獨(dú)立系統(tǒng)，能夠在較寬溫范圍內(nèi)進(jìn)行高精度溫度控制。
快速退火爐 參考價(jià)：面議
快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量，不需要采用傳統(tǒng)快速 退火爐的溫度補(bǔ)償，溫度控制精確，溫度重復(fù)性高，客戶包括國(guó)際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)...
超高真空多腔室物理氣相沉 參考價(jià)：面議
超高真空多腔室物理氣相沉系統(tǒng)由全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備商制造,配置多種沉積方式(預(yù)留各種功能接口),高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.。
超高真空磁控濺射系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
超高真空磁控濺射系統(tǒng)，襯底支架符合最大300mm直徑的晶片需求，并可對(duì)晶片加熱至850°C及加載RF偏壓。磁控濺射系統(tǒng)可按客戶需求增減其他窗口用于諸如殘余氣體分...
納米顆粒和薄膜的模塊化PVD系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
納米顆粒和薄膜的模塊化PVD系統(tǒng)是一種多功能的 PVD 系統(tǒng)，能夠生成納米顆粒和薄膜，非常適合工業(yè)和學(xué)術(shù)研究。NL-FLEX 能夠容納任何類型的基材，包括卷對(duì)卷...
納米顆粒和薄膜UHV沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
納米顆粒和薄膜UHV沉積系統(tǒng)，服務(wù)于廣泛的應(yīng)用，包括催化、光子學(xué)、儲(chǔ)能、傳感器和生命科學(xué)。該UHV 沉積系統(tǒng)可以與分析工具集成，為您的研究需求提供定制的解決方案...
臺(tái)式納米顆粒沉積系統(tǒng)（納米團(tuán)簇） 參考價(jià)：面議
臺(tái)式納米顆粒沉積系統(tǒng)（納米團(tuán)簇），專為共享研究或教學(xué)實(shí)驗(yàn)室而設(shè)計(jì)，學(xué)生和研究人員可以在各種納米技術(shù)項(xiàng)目中并行使用，而不必?fù)?dān)心交叉污染。應(yīng)用包括催化、光子學(xué)、儲(chǔ)能...
脈沖激光沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
脈沖激光沉積系統(tǒng)，基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達(dá)1200攝氏度，溫度差3%，加熱時(shí)基板可旋轉(zhuǎn)，工作環(huán)境最大壓力是300mtorr。
脈沖激光分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
脈沖激光分子束外延系統(tǒng)主要配置：主腔室，樣品傳輸腔，1100度加熱系統(tǒng)，樣品旋轉(zhuǎn)，PLD靶材操控器及光路，K-cell熱蒸發(fā)源，電子束蒸發(fā)源，射頻RF離子源。
磁控濺射儀 參考價(jià)：面議
磁控濺射儀，配置load-lock，可放置5片6英寸樣品，在高真空狀態(tài)下，由電動(dòng)馬達(dá)分別傳送每片樣品，順序?yàn)R射每片樣品，逐一完成5片濺射鍍膜。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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