950-1650nm InGaAs單光子陣列探測(cè)器組件 參考價(jià)：面議
950-1650nm InGaAs單光子陣列探測(cè)器組件MP6514S型探測(cè)器組件由4×4陣列規(guī)格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動(dòng)...
950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ300um 參考價(jià)：面議
950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ300umP97MXXT2系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)的InGaAs光敏芯片、...
950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ3000um 參考價(jià)：面議
950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ3000umP97MXXT2系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)的InGaAs光敏芯片...
2-12μm 碲鎘汞MCT光電探測(cè)器 無(wú)制冷 室溫使用 參考價(jià)：面議
2-12μm 碲鎘汞MCT光電探測(cè)器 無(wú)制冷 室溫使用MCT-12-0TE放大探測(cè)器是一種HgCdTe室溫光伏多結(jié)紅外探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到12 μm的中紅...
2-10μm 碲鎘汞MCT光電探測(cè)器 帶放大 帶TEC 參考價(jià)：面議
2-10μm 碲鎘汞MCT光電探測(cè)器 帶放大 帶TECMCT-10-4TE放大探測(cè)器是一種熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞，MCT)探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到...
400-1100nm 硅Si光電探測(cè)器 帶放大 固定增益(DC-140MHz) 參考價(jià)：面議
400-1100nm 硅Si光電探測(cè)器 帶放大 固定增益(DC-140MHz)硅(Si) 硅基光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信號(hào)。光...
400-1100nm 硅Si光電探測(cè)器 帶放大 固定增益（DC-5MHz） 參考價(jià)：面議
400-1100nm 硅Si光電探測(cè)器 帶放大 固定增益（DC-5MHz）硅(Si) 硅基光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)...
銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz) 參考價(jià)：面議
銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz)銦鎵砷(InGaAs)光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信...
銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (2MHz) 參考價(jià)：面議
銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (2MHz)銦鎵砷(InGaAs)光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信號(hào)。...
1000-2300nm 擴(kuò)展型大光敏面InGaAs探測(cè)器 參考價(jià)：面議
1000-2300nm 擴(kuò)展型大光敏面InGaAs探測(cè)器C3A-2300LAE系列光電檢測(cè)模塊將光電二極管，放大電路和電源調(diào)理電路集成在一個(gè)小型化的模塊內(nèi)。不僅...
1-12um 非冷卻 光電導(dǎo)型 MCT象限探測(cè)器 參考價(jià)：面議
1-12um 非冷卻 光電導(dǎo)型 MCT象限探測(cè)器PCQ是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光導(dǎo)象限探測(cè)器，具有極gao的性能和穩(wěn)定性。象限探測(cè)器由四個(gè)獨(dú)...
2.9-5.5um MCT中紅外二級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-2TE-5 參考價(jià)：面議
2.9-5.5um MCT中紅外二級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-2TE-5PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36是一種基于精密碲鎘汞異質(zhì)結(jié)...
1550nm 銦鎵砷InGaAs高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊 參考價(jià)：面議
1550nm 銦鎵砷InGaAs高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB 是一款高靈敏度大光敏元四象限光電探測(cè)模塊，其采用 InGa...
InGaAs 單元探測(cè)器 PD-100M-A 參考價(jià)：面議
InGaAs 單元探測(cè)器 PD-100M-A高速低噪聲光電單元探測(cè)模塊集成了低噪聲模擬PIN探測(cè)器、 低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出 ...
InGaAs 單元探測(cè)器 PD-5G-A 參考價(jià)：面議
InGaAs 單元探測(cè)器 PD-5G-A高速低噪聲光電單元探測(cè)模塊集成了低噪聲模擬PIN探測(cè)器、 低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出 信號(hào)...
InGaAs增益可調(diào)平衡探測(cè)器 800-1700nm DC 100MHz 參考價(jià)：面議
InGaAs增益可調(diào)平衡探測(cè)器800-1700nm DC 100MHz筱曉光子自主研發(fā)了目前市場(chǎng)上優(yōu)秀的程控增益光電平衡探測(cè)器，該探測(cè)器通過(guò)軟件方便快捷調(diào)節(jié)增益...
InGaAs增益可調(diào)平衡探測(cè)器 800-1700nm AC 1.6GHz 參考價(jià)：面議
InGaAs增益可調(diào)平衡探測(cè)器800-1700nm AC 1.6GHz筱曉光子自主研發(fā)了目前市場(chǎng)上優(yōu)秀的程控增益光電平衡探測(cè)器，該探測(cè)器通過(guò)軟件方便快捷調(diào)節(jié)增益...
銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm DC-100M 參考價(jià)：面議
銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm DC-100M筱曉光子針對(duì)光學(xué)相干檢測(cè)應(yīng)用研發(fā)了高速低噪聲模擬相干接收模塊。該svdc powe...
銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm AC-1.6G 參考價(jià)：面議
銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nmAC-1.6G筱曉光子針對(duì)光學(xué)相干檢測(cè)應(yīng)用研發(fā)了高速低噪聲模擬相干接收模塊。該svdc power...
偏振分集相干接收模塊 (InGaAs平衡探測(cè)器1510-1590nm 帶寬 2.5GHz) 參考價(jià)：面議
偏振分集相干接收模塊 (InGaAs平衡探測(cè)器1510-1590nm 帶寬 2.5GHz)筱曉光子PDR系列偏振分集接收模塊是針對(duì)偏振敏感的光纖傳感應(yīng)用。該偏振...
偏振分集相干接收模塊 (InGaAs平衡探測(cè)器1510-1590nm 帶寬 100MHz) 參考價(jià)：面議
偏振分集相干接收模塊 (InGaAs平衡探測(cè)器1510-1590nm 帶寬 100MHz)筱曉光子PDR系列偏振分集接收模塊是針對(duì)偏振敏感的光纖傳感應(yīng)用。該偏振...
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸 參考價(jià)：面議
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測(cè)量；放大型探測(cè)器，...
液氮制冷2-18um MCT探測(cè)器 參考價(jià)：面議
液氮制冷2-18um MCT探測(cè)器（MCT碲鎘汞）光譜響應(yīng) 2.0 - 18.1μm；光敏面 1mmx1mm；截止波長(zhǎng) 18.1µm
900-1700nm InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 內(nèi)置TEC制冷型 參考價(jià)：面議
900-1700nm InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 內(nèi)置TEC制冷型InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專用器件，可滿足量子通...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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