功率探測(cè)器（CP系列） 參考價(jià)：面議
功率探測(cè)器（CP系列）此探測(cè)器主要適用于高功率密度的脈沖激光器（如準(zhǔn)分子激光器、CO?激光器、TEA 激光器、Nd-YAG 激光器）。憑借高損傷閾值、短時(shí)間常數(shù)...
功率探測(cè)器（HP系列） 參考價(jià)：面議
功率探測(cè)器（HP系列）適用于高功率密度的帶吸收層功率測(cè)量頭所列功率測(cè)量頭基于熱電原理工作，即輻射產(chǎn)生的熱量會(huì)直接轉(zhuǎn)化為電壓。HP 系列測(cè)量頭配備吸收層，可承受高...
功率探測(cè)器（HP系列） 參考價(jià)：面議
功率探測(cè)器（HP系列）適用于高功率密度的帶吸收層功率測(cè)量頭所列功率測(cè)量頭基于熱電原理工作，即輻射產(chǎn)生的熱量會(huì)直接轉(zhuǎn)化為電壓。HP 系列測(cè)量頭配備吸收層，可承受高...
寬帶吸收涂層熱釋電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
寬帶吸收涂層熱釋電探測(cè)器探測(cè)器表面鍍有黑色吸光涂層，該涂層在185納米至25微米波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有近乎恒定的吸收率。本系列探測(cè)器的顯著優(yōu)勢(shì)在于其較高的靈敏度特性——...
寬帶吸收涂層熱釋電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
寬帶吸收涂層熱釋電探測(cè)器探測(cè)器表面鍍有黑色吸光涂層，該涂層在185納米至25微米波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有近乎恒定的吸收率。本系列探測(cè)器的顯著優(yōu)勢(shì)在于其較高的靈敏度特性——...
能量探測(cè)器系列PEM K 型 參考價(jià)：面議
能量探測(cè)器系列PEM K 型該探測(cè)器的主要應(yīng)用場(chǎng)景為高功率密度脈沖激光（準(zhǔn)分子激光、CO?-TEA 激光、Nd-YAG 激光）。由于其具有高損傷閾值、短時(shí)間常數(shù)...
能量探測(cè)器系列PEM K 型 參考價(jià)：面議
能量探測(cè)器系列PEM K 型該探測(cè)器的主要應(yīng)用場(chǎng)景為高功率密度脈沖激光（準(zhǔn)分子激光、CO?-TEA 激光、Nd-YAG 激光）。由于其具有高損傷閾值、短時(shí)間常數(shù)...
能量探測(cè)器系列 PEM HP 型 參考價(jià)：面議
能量探測(cè)器系列 PEM HP 型與本公司的 PEM Standard 系列探測(cè)器不同，本系列探測(cè)器專為更高的平均功率密度和更高的平均功率應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。在吸收涂...
能量探測(cè)器系列 PEM HP 型 參考價(jià)：面議
能量探測(cè)器系列 PEM HP 型與本公司的 PEM Standard 系列探測(cè)器不同，本系列探測(cè)器專為更高的平均功率密度和更高的平均功率應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。在吸收涂...
能量探測(cè)器系列 PEM USB 參考價(jià)：面議
能量探測(cè)器系列 PEM USBPEM45KUSB 與 PEM45USB 熱釋電探測(cè)頭集成高可靠性熱釋電傳感器及帶 USB 接口的讀出電路?？赏ㄟ^(guò) BNC 接口連...
能量探測(cè)器系列 PEM USB 參考價(jià)：面議
能量探測(cè)器系列 PEM USBPEM45KUSB 與 PEM45USB 熱釋電探測(cè)頭集成高可靠性熱釋電傳感器及帶 USB 接口的讀出電路?？赏ㄟ^(guò) BNC 接口連...
熱釋電能量探測(cè)器 PEM HiRep 參考價(jià)：面議
熱釋電能量探測(cè)器 PEM HiRep這些傳感器采用薄金屬（MC）或黑色吸收（BC）涂層，可加快向傳感元件的熱傳遞，z高重復(fù)率可達(dá) 5000 次 / 秒以上。MC...
1.0~2.6 um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管 參考價(jià)：面議
1.0~2.6 um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管光敏面直徑：Φ0.3 mm；工作波長(zhǎng)：波段 1.0~2.6 um；峰值波長(zhǎng)：2.2 um；峰值量子效率：≥70%...
D2250-100M 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um 參考價(jià)：面議
D2250-100M 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um中紅外探測(cè)器面臨的Max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲，并且它們會(huì)從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單...
中紅外MIR光電探測(cè)器 2.6-4.6um (TO-18 PD內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.5mm) 參考價(jià)：面議
中紅外MIR光電探測(cè)器 2.6-4.6um (TO-18 PD內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.5mm)LED Microsensor NT 很高興地宣布推出具有特殊...
中紅外MIR光電探測(cè)器 2.6-4.6um (TO-18 光敏直徑0.5mm) 參考價(jià)：面議
中紅外MIR光電探測(cè)器 2.6-4.6um (TO-18 光敏直徑0.5mm)LED Microsensor NT 很高興地宣布推出具有特殊玻璃覆蓋層的新型光電...
400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 2GHz 參考價(jià)：面議
400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 2GHzSi雪崩平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD 溫度...
400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 100MHz 參考價(jià)：面議
400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 100MHzSi雪崩平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD ...
Si雪崩單元探測(cè)器 2GHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià)：面議
Si雪崩單元探測(cè)器 2GHz 400-1100nm FC/APCSi雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、...
Si雪崩單元探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià)：面議
Si雪崩單元探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APCSi雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電...
900-2700nm 大光敏面InGaAs 銦鎵砷光電二極管 φ2mm 參考價(jià)：面議
900-2700nm 大光敏面InGaAs 銦鎵砷光電二極管 φ2mmPL3000系列是一個(gè)全色PIN光電二極管，截止波長(zhǎng)高達(dá)2700nm。它使用的是InGaA...
900-1700nm InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 非制冷型 參考價(jià)：面議
900-1700nm InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 非制冷型InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專用器件，可滿足量子通信、弱光...
900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ2mm 參考價(jià)：面議
900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ2mmInGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測(cè)，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（0....
DC-20Hz 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um 參考價(jià)：面議
DC-20Hz 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um中紅外探測(cè)器面臨的Max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲，并且它們會(huì)從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單波長(zhǎng)檢...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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